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repositorio.unilab.edu.br/jspui/handle/123456789/5026
Registro completo de metadados
Campo DC | Valor | Idioma |
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dc.contributor.author | Antume, Barnabé Wagner Soares | - |
dc.date.accessioned | 2024-07-24T15:37:54Z | - |
dc.date.available | 2024-07-24T15:37:54Z | - |
dc.date.issued | 2023-01-31 | - |
dc.identifier.citation | ANTUME, B. W. S. (2023) | pt_BR |
dc.identifier.uri | repositorio.unilab.edu.br/jspui/handle/123456789/5026 | - |
dc.description | ANTUME, Barnabé Wagner Soares. Estudo de esforços e perdas em um conversor CC-CC bidirecional de alto ganho para aplicação em armazenamento de energia. 2023. 45f. Monografia - Curso de Engenharia de Energias, Instituto de Engenharias e Desenvolvimento Sustentável, Universidade da Integração Internacional da Lusofonia Afro-Brasileira, Redenção-Ceará, 2023. | pt_BR |
dc.description.abstract | Diante do atual panorama energético mundial, o uso de energia proveniente das fontes renováveis tem um papel imprescindível no processo da descarbonização do planeta, ocasionado por emissão de gases e efeito estufa. Para isto, surgiu-se a demanda de sistemas capazes de converter o fluxo de potência com menos perdas em sistemas de geração de energia oriunda das fontes renováveis. Com isso, o uso de conversores estáticos e sistemas de armazenamento de energia têm ganhado destaque nesse quesito. A estrutura utilizada no presente trabalho foi obtida através da literatura. O presente trabalho objetiva-se em realizar um estudo de esforços e perdas nos semicondutores do conversor utilizado para o estudo através do cálculo térmico e simulação. O cálculo térmico permite a garantia da temperatura de junção do semicondutor estável, evitando um valor superior do seu limite devido ao erro no dimensionamento do dissipador, com consequência em danificar o componente e prejudicar o funcionamento do conversor. Este trabalho apresenta os resultados de simulação, procedimentos para a realização do cálculo de esforços nos semicondutores, cálculo de perdas, cálculo térmico e o dimensionamento do dissipador. A escolha do transistor Mosfet foi devido a sua característica em tempo extremamente curto de comutação, desse modo, garantindo a segurança de operação em circuitos com frequências mais elevadas. Os resultados dos esforços obtidos através da simulação e cálculos realizados são apresentados. Por fim, o dissipador dimensionado apresenta uma estrutura com as características favoráveis para a dissipação do calor através do resultado da resistência térmica obtida. | pt_BR |
dc.language.iso | pt_BR | pt_BR |
dc.subject | Conversor cc-cc | pt_BR |
dc.subject | Esforços e perdas no semicondutor | pt_BR |
dc.subject | Cálculo térmico | pt_BR |
dc.subject | Dissipador | pt_BR |
dc.subject | Mosfet | pt_BR |
dc.title | Estudo de esforços e perdas em um conversor CC-CC bidirecional de alto ganho para aplicação em armazenamento de energia | pt_BR |
dc.type | Monograph | pt_BR |
Aparece nas coleções: | Monografia - Engenharia de Energias |
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