Abstract:
Diante do atual panorama energético mundial, o uso de energia proveniente das fontes
renováveis tem um papel imprescindível no processo da descarbonização do planeta,
ocasionado por emissão de gases e efeito estufa. Para isto, surgiu-se a demanda de sistemas
capazes de converter o fluxo de potência com menos perdas em sistemas de geração de energia
oriunda das fontes renováveis. Com isso, o uso de conversores estáticos e sistemas de
armazenamento de energia têm ganhado destaque nesse quesito. A estrutura utilizada no
presente trabalho foi obtida através da literatura. O presente trabalho objetiva-se em realizar um
estudo de esforços e perdas nos semicondutores do conversor utilizado para o estudo através do
cálculo térmico e simulação. O cálculo térmico permite a garantia da temperatura de junção do
semicondutor estável, evitando um valor superior do seu limite devido ao erro no
dimensionamento do dissipador, com consequência em danificar o componente e prejudicar o
funcionamento do conversor. Este trabalho apresenta os resultados de simulação,
procedimentos para a realização do cálculo de esforços nos semicondutores, cálculo de perdas,
cálculo térmico e o dimensionamento do dissipador. A escolha do transistor Mosfet foi devido
a sua característica em tempo extremamente curto de comutação, desse modo, garantindo a
segurança de operação em circuitos com frequências mais elevadas. Os resultados dos esforços
obtidos através da simulação e cálculos realizados são apresentados. Por fim, o dissipador
dimensionado apresenta uma estrutura com as características favoráveis para a dissipação do
calor através do resultado da resistência térmica obtida.
Description:
ANTUME, Barnabé Wagner Soares. Estudo de esforços e perdas em um conversor CC-CC bidirecional de alto ganho para aplicação em armazenamento de energia. 2023. 45f. Monografia - Curso de Engenharia de Energias, Instituto de Engenharias e Desenvolvimento Sustentável, Universidade da Integração Internacional da Lusofonia Afro-Brasileira, Redenção-Ceará, 2023.